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它是由CMOS结构和CMOS集成电路工艺制造

CMOS结构组成，并以CMOS集成电路工艺制造。

有三种VF级别可提供:

(1)   标准VF

(2)   较低VF

(3)   超低VF

金属氧化物整流器比较于一般平面萧特基整流器的优势:

(1)   VF特低

(2)   IR特低

(3)   能抵御更大反向冲击电流

(4)   极高结温，耐热性较高